본 연구에서는 Si(100) 표면 위에서 Atomic Layer Deposition (ALD)를 통해 HfO2가 형성되는 반응 메커니즘과 표면 OH 농도에 따른 반응성을 규명했습니다. 전산모사 기법을 활용하여 서로 다른 OH 농도를 가진 두 가지의 Si 표면 모델에 대해 전구체인 Tetrakis ethylmethylamino hafnium (TEMAH)가 표면에 흡착되고 순차적인 리간드 반응이 일어나 최종적으로 HfO2가 표면에 형성되는 과정과 그 반응성을 이론적으로 증명하였습니다.